Daniele Ielmini ha conseguito la Laurea (cum laude) ed il titolo di Dottore di Ricerca in Ingegneria Nucleare dal Politecnico di Milano rispettivamente nel 1995 e 2000. Ha coperto posizioni di Visiting Professor alla Stanford University (2006) e alla University of Illinois at Urbana-Champaign (2010). I suoi interessi di ricerca sono la caratterizzazione e la modellistica di memorie non-volatili, come le memorie a cambiamento di fase (PCM), le memorie a switching resistivo (RRAM) e le memorie magnetiche a trasferimento di coppia di spin (STT-MRAM). Nel 2016 è stato co-editore del libro ‘Resistive switching – from fundamental redox-processes to device applications’ for Wiley-VCH. È autore/coautore di 9 capitoli di libro, 4 brevetti, e più di 250 articoli pubblicati in riviste e conferenze internazionali. Ha partecipato a vari Comitati Scientifici di conferenze internazionali, quali IEEE-IEDM (2008-2009), IEEE-IRPS (2006-2008), IEEE-SISC (2008-2010), INFOS (2011-2017), IEEE-ISCAS (2016-2017) e DATE (2017). È Associate Editor di IEEE Trans. Nanotechnology e Semiconductor Science and Technology (IOP), ed è Senior Member dell’IEEE. È stato riconosciuto Highly Cited Researcher da Thomson Reuters nel 2015. Ha ricevuto l’Intel Outstanding Researcher Award nel 2013, l’ERC Consolidator Grant in 2014, e l’IEEE-EDS Paul Rappaport Award in 2015.