Michele Anti è nato l’1 gennaio 1986 a Legnago (VR). Ha ottenuto la laurea di primo livello con lode in Ingegneria Elettronica presso il Politecnico di Milano nel luglio 2007, discutendo la tesi "Elaborazione digitale di segnale video analogico". Ha conseguito la laurea di secondo livello con lode in Ingegneria Elettronica presso il Politecnico di Milano nel dicembre 2009, discutendo la tesi "Device simulator, modeling and design of InGaAs/InP SPADs". Nel 2007 ha svolto un'attività di internship presso un'azienda di elettronica a Fremont, San Francisco, California. Nel 2008 ha partecipato al programma Erasmus presso il Royal Institute of Technology (KTH) di Stoccolma.
Dal gennaio 2010 è dottorando di ricerca presso il Dipartimento di Elettronica e Informazione del Politecnico di Milano. La sua attività di ricerca riguarda principalmente lo sviluppo di rivelatori microelettronici di singoli fotoni (Single-Photon Avalanche Diodes) per il vicino infrarosso, realizzati in materiali composti III-V, in particolare Arsenuro di Gallio e Indio e Fosfuro d’Indio (InGaAs/InP). La progettazione di questi fotorivelatori è condotta grazie al continuo sviluppo di un nuovo simulatore che include modelli matematici e fisici del dispositivo, sia già consolidati che nuovi, e porge particolare attenzione alle caratteristiche di efficienza quantica, afterpulsing e conteggi di buio.
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