Fabio Acerbi č nato nel 1984 a Carpi (MO).
Nel 2008 si č laureato con lode in Ingegneria Elettronica al Politecnico di Milano, con la tesi "Progetto e Simulazione di Fotodiodi a valanga in InGaAs/InP per la rivelazione di singoli fotoni".
Dal 2009 č dottorando di ricerca al Dipartimento di Elettronica e Informazione (DEI), Politecnico di Milano. La sua attivitā di ricerca riguarda il progetto e la caratterizzazione di nuovi rivelatori a valanga di singoli fotoni (SPADs), realizzati in arseniuro di gallio e indio - fosfuro di indio (InGaAs/InP), per applicazioni biomediche, telecomunicazionistiche e di testing dei circuiti integrati, che necessitano alta efficienza di rivelazione alle lunghezze d'onda nel vicino infrarosso.
Sede : Edificio 24 - Via Golgi, 40
Piano : S
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