Ricercatori del DEI pubblicano su "Nature Nanotechnology"

Giorgio Ferrari e Filippo Guagliardo hanno pubblicato su "Nature Nanotechnology" i risultati di un'importante ricerca effettuata in collaborazione con l'Istituto per la microelettronica e microsistemi del Consiglio nazionale delle ricerche (Imm-Cnr) e la Waseda University di Tokyo.
Il team ha realizzato transistori inserendo in modo controllato singoli atomi di arsenico all'interno di un cristallo di silicio. Il controllo senza precedenti delle proprietà elettroniche dei dispositivi così fabbricati ha permesso di studiare fenomeni di fisica fondamentale e rappresenta un passo verso la realizzazione di una nuova classe di transistori più piccoli, veloci ed efficienti degli attuali.
La ricerca è stata realizzata grazie al supporto del Ministero degli affari esteri per l'Italia e del MEXT (Ministero per la scienza e tecnologia) giapponese, che promuovono le iniziative congiunte tra ricercatori dei due paesi nell'ambito delle tecnologie d'eccellenza.
L'elevatissima precisione della tecnica di impiantazione a singolo atomo ha consentito di creare transistors con le proprietà volute fino a livello microscopico di singoli atomi osservando una radicale transizione nel comportamento dei dispositivi quando si passa da due atomi di drogante a una fila di sei che uniscono i terminali del transistor. Questo esperimento fornisce la dimostrazione più diretta della formazione di bande energetiche in semiconduttori a bassa temperatura ed estende i risultati ottenuti nella fisica a singolo drogante al caso di un array di pochi droganti per cui fenomeni collettivi (precedentemente studiati solo con un numero macroscopico di atomi) chiaramente emergono.

Informazioni aggiuntive relative a questo risultato sono disponibili al link: http://www.cnr.it/cnr/news/CnrNews?IDn=2437
L'articolo pubblicato su "Nature Nanotechnology" è reperibile al link:http://www.nature.com/nnano/journal/v7/n7/full/nnano.2012.94.html