IEEE Paul Rappaport Award 2015
Il gruppo coordinato dal Prof. Daniele Ielmini e comprendente Stefano Ambrogio e Simone Balatti del DEIB, e Vincent McCaffrey e Daniel Wang di Adesto Technologies, USA, ha vinto il prestigioso IEEE Paul Rappaport Award 2015 per gli articoli ‘Noise-Induced Resistance Broadening in Resistive Switching Memory—Part I: Intrinsic Cell Behavior’ e ‘Part II: Array Statistics’.
Gli articoli sono stati selezionati tra più di 630 lavori pubblicati nel 2015 su IEEE Trans. Electron Devices, la principale rivista della Electron Devices Society (EDS) dell’IEEE. Il premio verrà consegnato all’IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dicembre 2016, San Francisco, CA. È la prima volta che il Rappaport Award, istituito nel 1984, è vinto da un gruppo Italiano.
Gli articoli sono stati selezionati tra più di 630 lavori pubblicati nel 2015 su IEEE Trans. Electron Devices, la principale rivista della Electron Devices Society (EDS) dell’IEEE. Il premio verrà consegnato all’IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dicembre 2016, San Francisco, CA. È la prima volta che il Rappaport Award, istituito nel 1984, è vinto da un gruppo Italiano.
